Floating Gate MOSFET

In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor ad effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato ed il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO₂. Questa struttura è un condensatore, ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash.

Nei FGMOS a canale n l'iniezione di carica può avvenire in due modi, per hot carriers injection, come nel caso delle memoria Flash, o per effetto tunnel, come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale p si usa il fenomeno di breakdown a valanga, utilizzato nella programmazione delle EPROM.